摘要：海普開發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹脂對水體中的氟均具有高效的選擇性，已應用于多個領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。
 

　　#半導體光伏廢水深度除氟樹脂 半導體作為各種高新技術(shù)飛速發(fā)展的基礎(chǔ)，其重要性不言而喻。近十年來，國家相繼推出多項政策鼓勵半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，然而，快速的發(fā)展過程也帶來了污染問題。
 

　　芯片生產(chǎn)廢水中的污染問題一直未被重視，其中包括高氟廢水，刻蝕母液廢水中產(chǎn)生大量的氫氟酸，氟去除難度大，需要大量投加鈣離子。
 

　　彩膜廢水具有色度高的特點，有機物含有偶氮基、硫代羰基等發(fā)色基團和羥基及酰基等助色基團，脫色困難，生化性差。含磷廢水中有機磷和無機磷的濃度高。此外還有重金屬銅廢水，對微生物毒害大。傳統(tǒng)的生化工藝難以實現(xiàn)較好的去除效果，需分類治理。
 

　　針對于半導體芯片染料廢水中的氟廢水的處理較棘手，工業(yè)廢水氟離子的排放標準為10ppm，但是近年來地方標準氟離子的去除提升至地表四類水1.5ppm。進水pH低且有機質(zhì)低，單一的生化或物化技術(shù)難以實現(xiàn)高氟廢水污染物的深度去除。
 

　　現(xiàn)有技術(shù)通過鈣離子沉淀+絮凝沉淀可明顯降低出水氟，但是并不能深度去除氟離子，難以滿足日益嚴格的排放要求。因此亟需一種能對廢水實現(xiàn)深度、高效脫氟的工藝。
 

　　傳統(tǒng)雙鈣法除氟工藝對氟的去處程度有限，不能滿足日益嚴格的廢水排放標準(出水低于1.5mg/L的深度除氟要求)，因此，實現(xiàn)含氟廢水的高效深度凈化是實現(xiàn)清潔生產(chǎn)、綠色高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵問題之一。
 

　　海普開發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹脂對水體中的氟均具有高效的選擇性，已應用于多個領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。

　　海普納米除氟吸附劑的主要優(yōu)勢有：
 

　　選擇性強：除氟樹脂對氟離子具有高度的選擇性，去除氟離子同時對其他陰離子和陽離子具有較低的吸附能力；
 

　　吸附容量大：該型樹脂具有較高的吸附容量，可以處理大量的含氟廢水，長時間使用后仍能保持較高的吸附效率，使用壽命長；
 

　　抗污染性強：該型樹脂結(jié)構(gòu)及官能團特殊，不易被污染物粘附；
 

　　再生性強：除氟樹脂可以脫附再生，避免了因廢棄而導致的環(huán)境污染和資源浪費。